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型号 PSMN8R0-30YL,115
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 30V 62A SOT669
PSMN8R0-30YL,115 PDF
代理商 PSMN8R0-30YL,115
标准包装 1
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 62A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 8.3 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.15V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 18.3nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1005pF @ 15V
功率 - 最大 56W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供应商设备封装 LFPAK，Power-SO8
包装 剪切带 (CT)
其它名称 568-6904-1
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